DMP4015SPS-13
DIODES(美台)
TDSON-8-EP(5x6)
¥1.6786
8,833
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP4015SPS-13
美台(DIODES)
TDSON-8(6x5)

25000+:¥1.6786

5000+:¥1.8121

2500+:¥1.9075

800+:¥2.6705

200+:¥3.815

10+:¥6.2089

2500

-
DMP4015SPS-13
DIODES(美台)
TDSON-8-EP(5x6)

500+:¥1.75

100+:¥1.95

30+:¥2.27

10+:¥2.59

1+:¥3.24

931

-
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DMP4015SPS-13
DIODES(美台)
PowerDI5060-8

2500+:¥2.0

1+:¥2.09

2701

2年内
立即发货
DMP4015SPS-13
Diodes(达尔)
PowerDI

2500+:¥2.2

1250+:¥2.299

100+:¥2.519

20+:¥3.036

2701

-
3天-15天
DMP4015SPS-13
DIODES INCORPORATED
PowErDI 5060

1+:¥3.0733

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11 毫欧 @ 9.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 47.5 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4234 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN