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FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A（Ta），15A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：140A，导通电阻(RDS(on))：6.2mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：300 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：160mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：48mΩ@4.5V,2A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.7A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.2A，导通电阻(RDS(on))：250mΩ@4.5V,0.93A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：310mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V，输入电容(Ciss)：830pF
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@10V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：450mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：44A，导通电阻(RDS(on))：8.7mΩ@4.5V,9A
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V,6A，耗散功率(Pd)：1.8W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：310mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：5.7mΩ@10V,70A
晶体管类型：N 通道 JFET，频率：400MHz，电压 - 测试：15 V，额定电流（安培）：15mA，噪声系数：4dB
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V,20A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：26mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：2W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：800V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：3Ω@10V,2A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V；16mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：78A，导通电阻(RDS(on))：5.2mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：16.7A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@20V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ@10V,30A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：21A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：72A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：120V，连续漏极电流(Id)：230A，导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：120 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：75A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：380mA，导通电阻(RDS(on))：2.8Ω@10V,500mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@2.5V,0.3A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@10V，耗散功率(Pd)：350mW