ZXMP4A16GTA
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.13
5,624
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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ZXMP4A16GTA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥1.13

1+:¥1.22

1955

23+
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ZXMP4A16GTA
Diodes(达尔)
SOT-223

1000+:¥1.243

50+:¥1.342

30+:¥1.749

1723

-
3天-15天
ZXMP4A16GTA
DIODES(美台)
SOT-223

1000+:¥1.35

500+:¥1.42

100+:¥1.54

30+:¥1.82

10+:¥2.04

1+:¥2.55

1946

-
立即发货
ZXMP4A16GTA
美台(DIODES)
SOT-223-4

10000+:¥1.269

2000+:¥1.3699

1000+:¥1.442

500+:¥2.0188

100+:¥2.884

10+:¥4.6937

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 26.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1007 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA