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RUM002N02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，2.5V
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封装
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价格(含税)
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RUM002N02T2L
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ROHM(罗姆)
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VMT3(SOT-723)
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8000+:￥0.0899 1+:￥0.11 |
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圣禾堂
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8000+:￥0.0935 1+:￥0.1144 |
118609 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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ROHM(罗姆)
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SOT-723
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16000+:￥0.1044 8000+:￥0.1126 2000+:￥0.1469 600+:￥0.1644 200+:￥0.1937 20+:￥0.2463 |
68480 |
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ROHM(罗姆)
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VMT
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8000+:￥0.1349 4000+:￥0.165 500+:￥0.2475 80+:￥0.6422 |
154610 |
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8000+:￥0.175 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |