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IPD110N12N3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：120 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：75A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPD110N12N3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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500+:￥6.31 100+:￥7.24 20+:￥8.23 1+:￥10.1 |
1000 |
22+
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在芯间
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IPD110N12N3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥3.19 500+:￥3.248 100+:￥3.48 1+:￥3.77 |
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立即发货
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立创商城
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IPD110N12N3GATMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-3
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1000+:￥9.4933 500+:￥10.9173 100+:￥11.8666 30+:￥13.2906 10+:￥16.1386 1+:￥18.9866 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 120 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 83µA（标准） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 65 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4310 pF @ 60 V |
| 功率耗散（最大值） | 136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |