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SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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SI2307CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.3958 3000+:￥0.4221 500+:￥0.522 150+:￥0.5877 50+:￥0.6752 5+:￥0.8503 |
19475 |
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立创商城
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.3978 6000+:￥0.4294 3000+:￥0.452 800+:￥0.6328 200+:￥0.904 10+:￥1.4713 |
30000 |
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油柑网
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SI2307CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.42541 1000+:￥0.43331 500+:￥0.44121 100+:￥0.44872 10+:￥0.45425 |
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23+
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现货
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硬之城
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Vishay(威世)
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SOT-23
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1200+:￥0.4961 600+:￥0.5011 50+:￥0.6482 5+:￥0.8163 |
1000 |
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华秋商城
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VISHAY
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SOT-23
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1+:￥0.6276 |
23689 |
2233
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 88 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta），1.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |