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SI2310B-TP
MCC(美微科)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI2310B-TP
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MCC(美微科)
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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3000+:￥0.176 1+:￥0.199 |
6303 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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SI2310B-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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3000+:￥0.18304 1+:￥0.20696 |
6300 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2310B-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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300+:￥0.3089 100+:￥0.3537 10+:￥0.4432 |
2680 |
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立创商城
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SI2310B-TP
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Micro Commercial Components
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SOT-23
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15000+:￥0.132 9000+:￥0.1342 3000+:￥0.1375 |
3903000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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SI2310B-TP
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MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
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SOT-23
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39000+:￥0.1344 9000+:￥0.1384 3000+:￥0.1425 |
15000 |
24+
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 247 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |