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NVR5124PLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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NVR5124PLT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.5873 3000+:￥0.6258 500+:￥0.6899 150+:￥0.8337 50+:￥0.9491 5+:￥1.2181 |
1010 |
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.6 1+:￥0.645 |
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圣禾堂
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3000+:￥0.624 1+:￥0.6708 |
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2年内
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100+:￥0.6572 20+:￥0.682 5+:￥0.6944 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 230 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 240 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 470mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |