SSM3J351R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F
¥0.6294
35,575
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SSM3J351R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

3000+:¥0.6294

500+:¥0.6967

150+:¥0.8479

50+:¥0.969

5+:¥1.2517

4415

-
立即发货
SSM3J351R,LF(T
东芝(TOSHIBA)
SOT-23

30000+:¥0.8079

6000+:¥0.8722

3000+:¥0.9181

800+:¥1.2853

100+:¥1.8362

20+:¥2.9884

30000

-
SSM3J351R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

100+:¥0.951

30+:¥1.156

10+:¥1.32

1+:¥1.703

955

21+
SSM3J351R,LF(B
Toshiba(东芝)

100+:¥1.6961

70+:¥2.3477

205

-
3周-4周
SSM3J351R,LF
TOSHIBA
SOT-23F

1+:¥0.8879

0

-
现货最快4H发

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 134 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 15.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) +10V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 660 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线