AON6144
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(5x6)
¥1.93
66,971
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON6144
AOS
DFN5x6-8L

3000+:¥1.9

1+:¥1.99

5905

25+
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AON6144
AOS
DFN-8(5x6)

1000+:¥1.93

500+:¥2.04

100+:¥2.52

30+:¥2.9

10+:¥3.29

1+:¥4.06

3391

-
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AON6144
AOS
DFN-8(5.6x5.2)

30000+:¥1.936

6000+:¥2.09

3000+:¥2.2

800+:¥3.08

200+:¥4.4

10+:¥7.161

30000

-
AON6144
AOS(美国万代)
DFN-8(5x6)

3000+:¥1.976

1+:¥2.0696

5895

25+
1-2工作日发货
AON6144
AOS(美国万代)
DFN 5x6

3000+:¥2.09

1500+:¥2.189

750+:¥2.321

100+:¥2.596

20+:¥3.256

5900

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 70 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3780 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 78W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerSMD,扁平引线