AOD4184-HXY
华轩阳
TO-252-2L
¥0.605625
3,450
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):60A,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,20A
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AOD4184-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

5000+:¥0.6056

2500+:¥0.6356

500+:¥0.7337

150+:¥0.8461

50+:¥0.9361

5+:¥1.1463

3450

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 60A
导通电阻(RDS(on)) 8.5mΩ@10V,20A