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IRLR3636TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRLR3636TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥2.38 1+:￥2.49 |
5661 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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IRLR3636TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK),DPAK
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2000+:￥2.4752 1+:￥2.5896 |
3587 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLR3636TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO252
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500+:￥2.75 100+:￥3.15 20+:￥3.69 1+:￥4.24 |
2565 |
22+/23+
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在芯间
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IRLR3636TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥2.86 4000+:￥3.0875 2000+:￥3.25 500+:￥4.55 200+:￥6.5 10+:￥10.5788 |
29092 |
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油柑网
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IRLR3636TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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400+:￥3.1482 10+:￥4.0704 1+:￥5.088 |
300 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 49 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3779 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 143W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |