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FDMC86139P
onsemi(安森美)
WDFN-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A（Ta），15A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDMC86139P
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ON(安森美)
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Power-33-8
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3000+:￥2.81695 1000+:￥2.8567 500+:￥2.89645 100+:￥2.9309 10+:￥2.968 |
10311 |
25+
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现货
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硬之城
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FDMC86139P
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onsemi(安森美)
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WDFN-8(3.3x3.3)
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1000+:￥3.01 500+:￥3.21 100+:￥3.61 30+:￥4.28 10+:￥4.95 1+:￥6.29 |
436 |
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立即发货
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立创商城
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FDMC86139P
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安森美(onsemi)
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Power-33-8
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1000+:￥5.08 500+:￥5.842 100+:￥6.35 30+:￥7.112 10+:￥8.636 1+:￥10.16 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Ta），15A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 67毫欧 @ 4.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1335 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta），40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |