MDD50N06D
MDD(辰达行)
TO-252
¥0.44187
168,495
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@10V,20A
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渠道
MDD50N06D
MDD(辰达半导体)
TO-252

2500+:¥0.44187

167500

-
现货
MDD50N06D
MDD(辰达半导体)
TO-252

5000+:¥0.7196

2500+:¥0.7612

500+:¥0.9219

150+:¥1.0777

50+:¥1.2026

5+:¥1.494

995

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 17mΩ@10V,20A