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HXY2102EI
华轩阳
SOT-323
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@2.5V,0.3A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HXY2102EI
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HXY(华轩阳)
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SOT-323-3
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50000+:￥0.0766 30000+:￥0.0787 10000+:￥0.0821 5000+:￥0.0855 500+:￥0.0923 50+:￥0.1026 |
1350 |
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立即发货
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华秋商城
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HXY2102EI
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SOT-323
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21000+:￥0.0838 9000+:￥0.0889 3000+:￥0.0985 600+:￥0.1366 200+:￥0.1551 20+:￥0.1883 |
11900 |
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立创商城
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HXY2102EI
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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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SOT-323
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9000+:￥0.0787 6000+:￥0.0807 3000+:￥0.0821 |
720000 |
24+
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V,0.3A |