咨询/建议
漏源电压(Vdss)：60V，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,1.5A，耗散功率(Pd)：3W，阈值电压(Vgs(th))：3V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：54mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.5A（Ta），40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V,6A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V,15A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：22A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@10V,14A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.9A（Ta），14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Ta），235A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Ta），302A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：36A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,36A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：21A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@10V,10.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：400V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：25Ω@0V,120mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：34mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：180mA，导通电阻(RDS(on))：1.9Ω@10V；2.4Ω@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：300mΩ@2.5V,500mA，耗散功率(Pd)：100mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：900mA，导通电阻(RDS(on))：320mΩ@1.8V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.9A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.6A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：1.2Ω@10V,300mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@2.5V,1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@4.5V,1.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V,5.8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：38V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@4.5V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V,5.1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V,6A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,18A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：62mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,12A，耗散功率(Pd)：60W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1000 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：104A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V