咨询/建议
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：9mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：80W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：2.8Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：130 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.9A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 6.9A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：49A，导通电阻(RDS(on))：9.3mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V,50A
漏源电压(Vdss)：700V，连续漏极电流(Id)：12.5A，导通电阻(RDS(on))：360mΩ@10V,3A，耗散功率(Pd)：59.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ@10V,45A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@10V,15A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：130A，导通电阻(RDS(on))：3mΩ@10V,20A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：56A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V,28A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
Digi-Key 停止提供
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：600A，导通电阻(RDS(on))：0.75mΩ@4.5V
停产
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@2.75V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：57mΩ@10V，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V,2.5A，耗散功率(Pd)：700mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：154mA（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0.9V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：240mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.7W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V,2.2A，耗散功率(Pd)：1.2W
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.5A（Ta），24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：4.8mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：750mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V,11A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7A；6A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V,6A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,2A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@10V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：240mΩ@10V