咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.3A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@4.5V,6.3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.8A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@2.5V,3.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,4.9A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@4.5V,2A，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：330mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@4.5V,20A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，导通电阻(RDS(on))：44mΩ@4.5V,5A，阈值电压(Vgs(th))：1.3V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：22.5mΩ@10V,8A
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.4A，导通电阻(RDS(on))：350mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：28A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@4.5V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），63A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：14A，导通电阻(RDS(on))：9.7mΩ@10V,12A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：540mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：1.35mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：160A，导通电阻(RDS(on))：7.3mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：38A，导通电阻(RDS(on))：89mΩ@10V,19A
漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：20.7A，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@10V,13.1A，耗散功率(Pd)：208W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：73A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V,37A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@10V；8Ω@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：340mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：370mΩ@25V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.6A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.1W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.4W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.6A，导通电阻(RDS(on))：51mΩ@10V；82mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.3W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@2.5V,5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V,6.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：900mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3.9A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,3.5A，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,15A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V,70A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：500V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：8.5Ω@10V,1A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：530mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V