SI2302S
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0441
537
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):2.3A,导通电阻(RDS(on)):48mΩ@4.5V,2A
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SI2302S
MDD
SOT-23

3000+:¥0.0441

100+:¥0.0461

1+:¥0.0471

418

20240603
现货最快4H发
SI2302S
辰达半导体(MDD)
SOT-23

30000+:¥0.0451

6000+:¥0.0487

3000+:¥0.0513

800+:¥0.0718

100+:¥0.1026

20+:¥0.167

44

-
SI2302S
MDD(辰达半导体)
SOT-23

75+:¥0.0989

50+:¥0.0999

75

-
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SI2302S
MDD/辰达半导体
SOT-23

9000+:¥0.0488

6000+:¥0.0558

3000+:¥0.0638

500+:¥0.0731

50+:¥0.0913

2396

2510+
1工作日
SI2302S
MDD(辰达半导体)
SOT-23

51000+:¥0.0472

24000+:¥0.0503

6000+:¥0.0561

3000+:¥0.0627

500+:¥0.0852

50+:¥0.1052

0

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立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 2.3A
导通电阻(RDS(on)) 48mΩ@4.5V,2A