咨询/建议
SI7615ADN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SI7615ADN-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK1212-8
|
1000+:￥1.29 500+:￥1.38 100+:￥1.52 30+:￥1.84 10+:￥2.1 1+:￥2.71 |
5638 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SI7615ADN-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK® 1212-8
|
3000+:￥1.32 1+:￥1.39 |
2169 |
23+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SI7615ADN-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
PowerPAK1212-8
|
3000+:￥1.3728 1+:￥1.4456 |
2162 |
23+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SI7615ADN-T1-GE3
|
威世(VISHAY)
|
PowerPAK1212-8
|
30000+:￥1.4543 6000+:￥1.57 3000+:￥1.6526 800+:￥2.3136 200+:￥3.3052 10+:￥5.3794 |
27000 |
-
|
油柑网
|
|
|
SI7615ADN-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK1212-8
|
500+:￥1.48 100+:￥1.62 20+:￥1.94 1+:￥2.76 |
3832 |
24+/23+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.4 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 183 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5590 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |