DMP4015SK3-13
DIODES(美台)
TO-252
¥1.62
9,917
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP4015SK3-13
DIODES(美台)
TO-252

1000+:¥1.62

500+:¥1.72

100+:¥1.88

30+:¥2.25

10+:¥2.55

1+:¥3.23

2021

-
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DMP4015SK3-13
DIODES(美台)
TO252

2500+:¥1.62

1+:¥1.7

7058

2年内
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DMP4015SK3-13
美台(DIODES)
TO-252-3

25000+:¥1.87

5000+:¥2.0188

2500+:¥2.125

800+:¥2.975

200+:¥4.25

10+:¥6.9169

3108

-
DMP4015SK3-13
Diodes(达尔)
DPAK

2500+:¥1.87

1250+:¥1.969

100+:¥2.255

20+:¥2.937

3108

-
3天-15天
DMP4015SK3-13
DIODES(美台)
TO-252-3

500+:¥2.47

100+:¥2.68

20+:¥3.05

1+:¥4.11

1680

22+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11 毫欧 @ 9.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 47.5 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4234 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 3.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63