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BSC039N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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BSC039N06NS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥3.19 1+:￥3.32 |
1527 |
25+
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圣禾堂
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BSC039N06NS
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英飞凌(INFINEON)
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PowerTDFN-8
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50000+:￥3.729 10000+:￥4.0256 5000+:￥4.2375 1000+:￥5.9325 300+:￥8.475 10+:￥13.7931 |
5000 |
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油柑网
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BSC039N06NS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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100+:￥3.97 30+:￥4.67 10+:￥5.3 1+:￥6.43 |
103 |
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立创商城
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BSC039N06NS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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10+:￥8.95625 1+:￥10.09369 |
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2225
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现货
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硬之城
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BSC039N06NS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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50+:￥8.95652 10+:￥9.75158 1+:￥10.88906 |
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2220
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.9 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 36µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 27 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |