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IRFP4868PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：300 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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400+:￥9.28 1+:￥9.65 |
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1000+:￥9.7 500+:￥10.12 100+:￥10.96 30+:￥11.8 1+:￥12.22 |
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250+:￥11.187 50+:￥12.0769 25+:￥12.7125 15+:￥17.7975 5+:￥25.425 1+:￥41.3792 |
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75+:￥11.59 25+:￥13.41 10+:￥16.0 1+:￥18.85 |
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Infineon(英飞凌)
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 300 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 42A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 270 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10774 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 517W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |