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IRLZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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封装
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价格(含税)
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IRLZ44NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥2.93 1+:￥3.06 |
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25+
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圣禾堂
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IRLZ44NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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500+:￥4.1 100+:￥4.46 30+:￥5.48 10+:￥6.2 1+:￥7.49 |
673 |
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立创商城
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IRLZ44NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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500+:￥6.1295 100+:￥6.7378 9+:￥7.428 |
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60+:￥6.27 40+:￥6.49 20+:￥6.71 |
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IRLZ44NSTRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥4.3999 1600+:￥4.7499 800+:￥4.9999 400+:￥6.9999 100+:￥9.9998 10+:￥15.4997 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 47A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 48 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |