IRLZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
¥2.93
2,212
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IRLZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥2.93

1+:¥3.06

1532

25+
立即发货
IRLZ44NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

500+:¥4.1

100+:¥4.46

30+:¥5.48

10+:¥6.2

1+:¥7.49

673

-
立即发货
IRLZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

500+:¥6.1295

100+:¥6.7378

9+:¥7.428

58

-
14-18工作日
IRLZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

60+:¥6.27

40+:¥6.49

20+:¥6.71

800

-
3-7工作日
IRLZ44NSTRLPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-263

8000+:¥4.3999

1600+:¥4.7499

800+:¥4.9999

400+:¥6.9999

100+:¥9.9998

10+:¥15.4997

0

-

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 22 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 48 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1700 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB