咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.9A，导通电阻(RDS(on))：215mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：360mA；200mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V,200mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：900mA，导通电阻(RDS(on))：650mΩ@10V,800mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：84A，导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@10V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@4.5V,20A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,1.5A，耗散功率(Pd)：3W
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A，15A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10.2 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V,12A，耗散功率(Pd)：2.5W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5.8A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：82V，连续漏极电流(Id)：140A，导通电阻(RDS(on))：4.3mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@4.5V,10A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：217A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：4Ω@4.5V,0.5A，耗散功率(Pd)：250mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：50Ω@2.5V,3A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：8Ω@10V,0.15A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@2.5V,1A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：4Ω@10V,500mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@2.5V,4A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@2.5V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：26mΩ@2.5V,5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@10V,4.3A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：3.1Ω@10V,0.5A
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：15W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：650mΩ@4.5V,1A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：320mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 320mA，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 2A，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：7.5mΩ@10V