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FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：205mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：38A，导通电阻(RDS(on))：9.8mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：3.6mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：214W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1000 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：75A，导通电阻(RDS(on))：5mΩ@10V,75A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：110A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V,20A
漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：420A，导通电阻(RDS(on))：1.2mΩ@10V，耗散功率(Pd)：428.5W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@4.5V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：142mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：3.5Ω@5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：700mΩ@4.5V,600mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V；110mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3A，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：850mΩ@2.5V,500mA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.2A，导通电阻(RDS(on))：105mΩ@4.5V,3.6A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.5A，耗散功率(Pd)：1.5W，阈值电压(Vgs(th))：500mV
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@4.5V,5A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@4.5V,3A，耗散功率(Pd)：350mW
漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：2.6A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@2.5V,2.3A，耗散功率(Pd)：450mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V，阈值电压(Vgs(th))：950mV@250uA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 1.3A，10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1 欧姆 @ 200mA，4V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.41A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.4A，耗散功率(Pd)：1.6W
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@10V，耗散功率(Pd)：21W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：185mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：700mW
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA，430mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V