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IRF840STRLPBF
VISHAY(威世)
TO-263(D2PAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRF840STRLPBF
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VISHAY(威世)
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D2PAK
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800+:￥5.09 1+:￥5.27 |
2937 |
2年内
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圣禾堂
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IRF840STRLPBF
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Vishay(威世)
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TO-263-3
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800+:￥5.2936 1+:￥5.4808 |
2929 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRF840STRLPBF
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VISHAY(威世)
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TO263
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500+:￥5.31 100+:￥5.77 20+:￥7.17 1+:￥8.25 |
1600 |
22+/23+
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在芯间
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IRF840STRLPBF
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VISHAY(威世)
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TO-263(D2PAK)
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500+:￥5.31 100+:￥5.77 30+:￥7.32 10+:￥8.25 1+:￥9.93 |
527 |
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立创商城
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IRF840STRLPBF
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Vishay(威世)
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TO-263AB
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800+:￥5.599 100+:￥5.797 8+:￥6.842 |
2937 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |