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IPP075N15N3GXKSA1
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IPP075N15N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-220-3
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1000+:￥4.79 500+:￥4.98 100+:￥5.41 50+:￥6.38 10+:￥7.87 1+:￥9.44 |
1392 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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PG-TO220-3
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500+:￥4.99 1+:￥5.2 |
2079 |
2年内
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圣禾堂
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IPP075N15N3 G
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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5000+:￥6.017 1000+:￥6.4956 500+:￥6.8375 200+:￥9.5725 100+:￥13.675 10+:￥22.2561 |
15000 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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PG-TO220-3
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100+:￥6.54 30+:￥6.9 10+:￥7.02 1+:￥7.62 |
170 |
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华秋商城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥6.842 100+:￥7.3863 50+:￥7.775 20+:￥10.885 10+:￥15.55 1+:￥25.3076 |
12407 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 93 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5470 pF @ 75 V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |