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EM6M2T2R
ROHM(罗姆)
SOT-563(SOT-666)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1 欧姆 @ 200mA，4V
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封装
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价格(含税)
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EM6M2T2R
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ROHM(罗姆)
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SOT-563(SOT-666)
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5000+:￥0.2142 2500+:￥0.2286 500+:￥0.2966 150+:￥0.3326 50+:￥0.3806 5+:￥0.4767 |
13205 |
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EM6M2T2R
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ROHM(罗姆)
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8000+:￥0.24 1+:￥0.264 |
2242 |
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圣禾堂
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ROHM(罗姆)
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硬之城
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罗姆(ROHM)
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EMT-6
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80000+:￥0.3107 16000+:￥0.3354 8000+:￥0.3531 1000+:￥0.4943 100+:￥0.7062 20+:￥1.1493 |
64000 |
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油柑网
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ROHM(罗姆)
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500+:￥0.3952 90+:￥0.5915 |
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3天-15天
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 200mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |