AON7140
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
¥2.8
18,558
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON7140
AOS
DFN3.3x3.3-8L

3000+:¥2.8

1+:¥2.92

2223

2年内
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AON7140
AOS
DFN-8(3x3)

1000+:¥2.87

500+:¥3.06

100+:¥3.72

30+:¥4.36

10+:¥5.02

1+:¥6.32

1965

-
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AON7140
AOS(美国万代)
PowerWDFN-8

3000+:¥2.912

1+:¥3.0368

2216

2年内
1-2工作日发货
AON7140
AOS
8-DFN-EP

3000+:¥3.1024

2000+:¥3.2575

1000+:¥3.4204

500+:¥3.5914

100+:¥3.9505

10+:¥4.3456

8498

21+
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AON7140
AOS(美国万代)
DFN 3.3x3.3 EP

1500+:¥3.212

750+:¥3.366

100+:¥3.641

20+:¥4.378

2223

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3350 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 46W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerWDFN