BSC098N10NS5
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
¥1.9
10,183
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):38A,导通电阻(RDS(on)):9.8mΩ@10V,30A
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BSC098N10NS5
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)

1000+:¥2.23

500+:¥2.37

100+:¥2.99

30+:¥3.44

10+:¥3.9

1+:¥4.8

5066

-
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BSC098N10NS5
英飞凌(INFINEON)
TDSON-8(6x5)

50000+:¥3.2318

10000+:¥3.4889

5000+:¥3.6725

500+:¥5.1415

100+:¥7.345

20+:¥11.954

5000

-
BSC098N10NS5
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

5000+:¥1.9

1+:¥2.0

61

24+
立即发货
BSC098N10NS5
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-EP(5x6)

5000+:¥1.976

1+:¥2.08

56

24+
1-2工作日发货
BSC098N10NS5
Infineon Technologies/IR
SON

50+:¥1.9075

30+:¥1.925

20+:¥1.96

10+:¥2.1875

839

22+
3-5工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 38A
导通电阻(RDS(on)) 9.8mΩ@10V,30A