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NTZD3155CT1G
onsemi(安森美)
SOT-563
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA，430mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTZD3155CT1G
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ON(安森美)
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SOT-563
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4000+:￥0.39 1+:￥0.417 |
2034 |
22+
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立即发货
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圣禾堂
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NTZD3155CT1G
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ON(安森美)
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SOT-563
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4000+:￥0.4056 1+:￥0.43368 |
2026 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTZD3155CT1G
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ON(安森美)
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SOT-563-6
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4000+:￥0.40926 1000+:￥0.41686 500+:￥0.42446 100+:￥0.43168 10+:￥0.437 |
115155 |
25+
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现货
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硬之城
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NTZD3155CT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-563
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40000+:￥0.429 8000+:￥0.4631 4000+:￥0.4875 1000+:￥0.6825 300+:￥0.975 10+:￥1.5869 |
2034 |
-
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油柑网
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NTZD3155CT1G
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ON(安森美)
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SOT-563
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4000+:￥0.4448 1000+:￥0.45306 500+:￥0.46132 100+:￥0.46916 10+:￥0.47495 |
2222 |
22+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 540mA，430mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |