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IRFR7546TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFR7546TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.6 1+:￥1.67 |
20000 |
25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥1.664 1+:￥1.7368 |
19994 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFR7546TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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1000+:￥2.0 500+:￥2.14 100+:￥2.45 30+:￥2.89 10+:￥3.33 1+:￥4.22 |
2866 |
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立创商城
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IRFR7546TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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100+:￥2.65 30+:￥3.09 10+:￥3.54 1+:￥4.43 |
3204 |
20+/21+
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在芯间
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IRFR7546TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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2000
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16000+:￥2.0611 8000+:￥2.0973 4000+:￥2.1334 2000+:￥2.26 |
10000 |
25+
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3-6工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 56A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.9 毫欧 @ 43A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 87 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3020 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 99W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |