IRFR9310TRPBF
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252)
¥2.6
24,173
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):400 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFR9310TRPBF
VISHAY(威世)
D-Pak

2000+:¥2.5

1+:¥2.66

1779

24+
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IRFR9310TRPBF
Vishay(威世)
TO-252-2

2000+:¥2.6

1+:¥2.7664

1675

24+
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IRFR9310TRPBF
威世(VISHAY)
TO-252

20000+:¥2.75

4000+:¥2.9688

2000+:¥3.125

500+:¥4.375

200+:¥6.25

10+:¥10.1719

1679

-
IRFR9310TRPBF
Vishay(威世)
TO-252

1000+:¥2.926

100+:¥3.223

20+:¥3.85

1679

-
3天-15天
IRFR9310TRPBF
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252)

1000+:¥2.93

500+:¥3.08

100+:¥3.39

30+:¥3.9

10+:¥4.41

1+:¥5.44

9326

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 13 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 270 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63