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STL42P6LLF6
ST(意法半导体)
PowerFLAT-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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STL42P6LLF6
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ST(意法半导体)
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PowerFLAT-8(5x6)
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1000+:￥4.71 500+:￥4.8 100+:￥4.98 30+:￥5.4 10+:￥5.77 1+:￥6.44 |
1398 |
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STL42P6LLF6
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ST(意法半导体)
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PowerFLAT-5x6-8
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3000+:￥4.8984 1+:￥5.0856 |
2851 |
24+
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硬之城
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STL42P6LLF6
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意法半导体(ST)
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PowerFLAT-5x6-8
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30000+:￥5.8421 6000+:￥6.3069 3000+:￥6.6388 800+:￥9.2943 200+:￥13.2776 10+:￥21.6093 |
61932 |
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油柑网
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STL42P6LLF6
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ST(意法半导体)
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PowerFLAT-8
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1000+:￥414.0 500+:￥432.0 100+:￥468.0 30+:￥504.0 1+:￥522.0 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 30 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3780 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |