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SI7463DP-T1-E3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI7463DP-T1-E3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SO-8
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500+:￥9.06 100+:￥9.67 30+:￥10.99 1+:￥13.65 |
1000 |
23+/24+
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在芯间
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SI7463DP-T1-E3
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VISHAY(威世)
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PowerPAKSO-8
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30+:￥11.49 10+:￥13.05 1+:￥15.55 |
29 |
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立即发货
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立创商城
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SI7463DP-T1-E3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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1000+:￥11.7333 500+:￥13.4933 100+:￥14.6666 30+:￥16.4266 10+:￥19.9466 1+:￥23.4666 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.2 毫欧 @ 18.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 140 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |