咨询/建议
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A，驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@5V,50mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5.5A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V,4A，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：14.6A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：196mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@1.8V,7A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@1.8V,2A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：900mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：26mΩ@10V,15A
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V；26.8mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@10V,18A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：700mA，500mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：388 毫欧 @ 600mA，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@10V,50A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：46 毫欧 @ 5A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V,8A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：4.8mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：500V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：900mΩ@10V,4A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：800 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：52A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，20V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V,30A，耗散功率(Pd)：52.1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6.2mΩ@4.5V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：500V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：850mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：860mΩ@10V,4.75A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：22A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V,30A，耗散功率(Pd)：52.1W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：6.4mΩ@10V,45A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：390mΩ@10V,5.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：58A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V