AOD2210
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
¥1.8526
8,442
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),18A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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封装
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AOD2210
AOS
TO-252

1000+:¥1.8526

500+:¥1.8939

100+:¥1.9706

30+:¥2.1004

10+:¥2.6082

1+:¥3.3338

944

-
立即发货
AOD2210
AOS
TO252

2500+:¥2.68

1+:¥2.8

2500

25+
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AOD2210
AOS(美国万代)
TO-252

2500+:¥2.7872

1+:¥2.912

2498

25+
1-2工作日发货
AOD2210
AOS
TO-252-3

25000+:¥2.948

5000+:¥3.1825

2500+:¥3.35

800+:¥4.69

200+:¥6.7

10+:¥10.9043

2500

-
AOD2210
AOS(美国万代)
TO-252

2500+:¥2.948

1250+:¥3.08

100+:¥3.388

20+:¥4.07

2500

-
3天-15天

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta),18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 105 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2065 pF @ 100 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),100W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63