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IRFBG30PBF
VISHAY(威世)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1000 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRFBG30PBF
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VISHAY(威世)
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TO-220
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500+:￥4.11 100+:￥4.68 20+:￥5.64 1+:￥6.84 |
3500 |
22+/21+
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在芯间
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IRFBG30PBF
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VISHAY(威世)
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TO-220
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1000+:￥7.752 500+:￥7.98 100+:￥8.5215 50+:￥9.709 10+:￥11.2955 1+:￥13.1575 |
390 |
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立创商城
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IRFBG30PBF
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Vishay(威世)
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T0-220AB
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1000+:￥16.5105 500+:￥16.568 300+:￥16.6543 100+:￥17.0855 50+:￥17.7275 30+:￥18.5899 10+:￥22.8732 4+:￥40.7732 |
1000 |
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3周-4周
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唯样商城
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VISHAY(威世)
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TO-220AB
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1000+:￥6.5 1+:￥7.38 |
40 |
25+
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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1000+:￥6.76 1+:￥7.6752 |
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25+
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1-2工作日发货
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 80 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 980 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |