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SUM110P08-11L-E3
VISHAY(威世)
TO-263(D2PAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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TO-263（D2Pak）
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800+:￥10.62 1+:￥10.92 |
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圣禾堂
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VISHAY(威世)
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TO-263(D2PAK)
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800+:￥10.678 500+:￥10.9915 100+:￥11.704 30+:￥13.93 10+:￥15.79 1+:￥18.48 |
1310 |
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立创商城
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Vishay(威世)
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TO-263（D2Pak）
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800+:￥11.0448 1+:￥11.3568 |
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硬之城
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威世(VISHAY)
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TO-263-2
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油柑网
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Vishay(威世)
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TO-263
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 270 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10850 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 13.6W（Ta），375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |