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2N65L
UMW(友台半导体)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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UMW(友台半导体)
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TO-252(DPAK)
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2500+:￥0.435 1+:￥0.473 |
2485 |
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UMW(广东友台半导体)
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2500+:￥0.4524 1+:￥0.49192 |
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硬之城
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UMW(友台半导体)
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5000+:￥0.4578 2500+:￥0.4865 500+:￥0.5511 150+:￥0.6228 50+:￥0.7183 5+:￥0.9094 |
100 |
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UMW(友台半导体)
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100+:￥0.542 30+:￥0.62 10+:￥0.723 5+:￥0.93 |
940 |
20+/21+
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在芯间
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UMW(友台)
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TO-252
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2500+:￥0.4253 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.5 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 311 pF @ 25 V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |