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HYG200P10LR1B
HUAYI(华羿微)
TO-263-2L
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：214W
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HYG200P10LR1B
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-2L
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800+:￥2.32 500+:￥2.45 100+:￥2.82 30+:￥3.26 10+:￥3.7 1+:￥4.59 |
2410 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 214W |