咨询/建议
SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SI2305B-TP
|
MCC(美微科)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.127 1+:￥0.142 |
7980 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SI2305B-TP
|
MCC(美微科)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.13208 1+:￥0.14768 |
7977 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SI2305B-TP
|
MCC
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.1499 2000+:￥0.1621 1500+:￥0.1741 1000+:￥0.1861 500+:￥0.2047 100+:￥0.2455 |
5500 |
24+
|
立即发货
|
壹探芯城
|
|
SI2305B-TP
|
MCC(美微科)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.1905 1500+:￥0.213 210+:￥0.246 |
7980 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
SI2305B-TP
|
MCC(美微科)
|
SOT-23
|
100+:￥0.292 30+:￥0.328 10+:￥0.374 5+:￥0.468 |
4000 |
20+/21+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 740 pF @ 4 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |