IRLML0100TRPBF-HXY
华轩阳
SOT-23
¥0.097375
3,000
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):3A,耗散功率(Pd):1W
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IRLML0100TRPBF-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

21000+:¥0.0974

9000+:¥0.1038

3000+:¥0.1157

600+:¥0.1311

200+:¥0.1539

20+:¥0.1949

3000

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 3A
耗散功率(Pd) 1W