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FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：38A，导通电阻(RDS(on))：89mΩ@10V,19A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37A（Ta），288A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：300V，连续漏极电流(Id)：16A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V,16A
漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：83A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V，耗散功率(Pd)：595W
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：60V，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：142mΩ@2.5V,2.0A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：88mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：87mΩ@4.5V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：1Ω@10V,0.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@300m,10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：7Ω@5V,50mA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@1.8V，耗散功率(Pd)：1W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：450mΩ@1.8V,250mA，耗散功率(Pd)：140mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@10V,5.8A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：350mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：56mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@2.75V,0.2A，阈值电压(Vgs(th))：1.5V@1.0mA
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on))：800mΩ@1.8V,0.45A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：4Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3.8W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：770mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：165mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：330mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@2.5V,2.5A
类型：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.9A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,2A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，阈值电压(Vgs(th))：1.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.9A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A；6.9A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@10V,6A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.33A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：480 毫欧 @ 200mA，5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V；11mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,8A，耗散功率(Pd)：2.1W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：260mΩ@4.5V,1.4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V；33mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：68W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21mA（Ta），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：500 欧姆 @ 16mA，10V