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NTR4171PT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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NTR4171PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.39849 1000+:￥0.40589 500+:￥0.41329 100+:￥0.42032 10+:￥0.4255 |
148192 |
25+
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现货
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硬之城
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NTR4171PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.41 1+:￥0.438 |
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22+
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圣禾堂
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NTR4171PT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3
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1+:￥0.4153 |
1805 |
2311
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现货最快4H发
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京北通宇
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NTR4171PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.4264 1+:￥0.45552 |
242 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTR4171PT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.438 3000+:￥0.4722 500+:￥0.6604 150+:￥0.7881 50+:￥0.8904 5+:￥1.1291 |
15160 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 720 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 480mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |