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RU1J002YNTCL
ROHM(罗姆)
SOT-323
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0.9V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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RU1J002YNTCL
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ROHM(罗姆)
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UMT3F
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3000+:￥0.168 1+:￥0.19 |
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25+
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圣禾堂
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RU1J002YNTCL
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ROHM(罗姆)
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SOT-323-3
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3000+:￥0.17056 1+:￥0.1924 |
71715 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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ROHM(罗姆)
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UMTF
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3000+:￥0.1762 1+:￥0.3876 |
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3天-5天
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唯样商城
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罗姆(ROHM)
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SOT-323-3
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30000+:￥0.1826 6000+:￥0.1971 3000+:￥0.2075 800+:￥0.2905 100+:￥0.415 20+:￥0.6755 |
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油柑网
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ROHM(罗姆)
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SOT323FL
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3000+:￥0.1862 1200+:￥0.1966 600+:￥0.2131 100+:￥0.2854 10+:￥0.3405 |
2988 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0.9V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 26 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-85 |