HSL10N06
HUASHUO(华朔)
SOT-223
¥0.57408
1,830
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):10A,导通电阻(RDS(on)):36mΩ@10V,4A
厂家型号
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渠道
HSL10N06
HUASHUO(华朔)
SOT-223

6000+:¥0.5741

3000+:¥0.6096

500+:¥0.6975

150+:¥0.9024

50+:¥1.0181

5+:¥1.2881

1830

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 10A
导通电阻(RDS(on)) 36mΩ@10V,4A