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2N7002E-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：240mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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2N7002E-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.224 1+:￥0.253 |
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圣禾堂
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2N7002E-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥0.302 30+:￥0.334 10+:￥0.376 5+:￥0.461 |
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20+/21+
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在芯间
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VISHAY
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SOT-23
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1000+:￥0.3038 500+:￥0.343 100+:￥0.392 1+:￥0.49 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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2N7002E-T1-E3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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3000+:￥0.3543 500+:￥0.4074 150+:￥0.496 50+:￥0.6023 5+:￥0.7086 |
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油柑网
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2N7002E-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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30+:￥0.3752 10+:￥0.4267 1+:￥0.5296 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 240mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 250mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21 pF @ 5 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |