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PMV20ENR
Nexperia(安世)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PMV20ENR
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NEXPERIA
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4075 1000+:￥0.456 100+:￥0.4705 1+:￥0.4851 |
6971 |
2201
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现货最快4H发
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京北通宇
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PMV20ENR
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.42 150+:￥0.57 50+:￥0.65 5+:￥0.79 |
3025 |
20+/21+
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在芯间
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PMV20ENR
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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500+:￥0.421 150+:￥0.4412 50+:￥0.4484 5+:￥0.4593 |
1520 |
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立即发货
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立创商城
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PMV20ENR
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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1200+:￥0.4253 600+:￥0.4297 50+:￥0.4305 5+:￥0.4409 |
1097 |
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立即发货
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华秋商城
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PMV20ENR
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Nexperia(安世)
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SOT23
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3000+:￥0.4395 1500+:￥0.5055 1000+:￥0.6167 560+:￥0.7893 |
93000 |
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3天-5天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 435 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 510mW（Ta），6.94W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |